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國際電工委員會發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IEC 60747-9:2019《半導(dǎo)體器件 第9部分:分立器件 絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)》

信息來源:廣東省WTO/TBT通報咨詢研究中心    發(fā)布日期:2019-12-16    閱讀:8265次
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2019年11月13日,國際電工委員會發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IEC 60747-9:2019《半導(dǎo)體器件 第9部分:分立器件 絕緣柵雙極晶體管(IGBTs)》,明確規(guī)定了關(guān)于IGBTs的術(shù)語、字母符號、基本額定值和特性、額定值驗證和測量方法的產(chǎn)品具體標(biāo)準(zhǔn)。

與前一版相比,第三版包括以下重要技術(shù)變更:

a. 增加阻逆型IGBT及其相關(guān)技術(shù)內(nèi)容;

b. 增加逆導(dǎo)型IGBT及其相關(guān)技術(shù)內(nèi)容;

c. 前一版的某些部分已被修訂、合并或刪除。

 

本新聞由廣東省WTO/TBT通報咨詢研究中心摘錄/編輯/整理并翻譯,轉(zhuǎn)載請注明來源。

更多詳情請見:https://webstore.iec.ch/publication/32214

 

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